发明名称 |
Induktionsspule für Post Passivation Interconnect |
摘要 |
Ein Induktionsspulen-Bauelement und ein Verfahren zum Ausbilden des Induktionsspulen-Bauelements werden bereitgestellt. In einigen Ausführungsformen enthält das Induktionsspulen-Bauelement eine Post Passivation Interconnect(PPI)-Schicht und eine unter dem Bondhügel befindliche Metallisierungsschicht (UBM-Schicht), die jeweils über einem Substrat angeordnet sind. Die PPI-Schicht bildet eine Spule und Dummy-Kontaktinseln. Die Dummy-Kontaktinseln sind um einen wesentlichen Teil der Spule angeordnet, um die Spule vor elektromagnetischen Störungen abzuschirmen. Ein erster Abschnitt der UBM-Schicht ist elektrisch mit der Spule gekoppelt und dafür konfiguriert, mit einem elektrischen Koppelungselement in Verbindung zu stehen. |
申请公布号 |
DE102012105177(A1) |
申请公布日期 |
2013.09.19 |
申请号 |
DE201210105177 |
申请日期 |
2012.06.14 |
申请人 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MFG. CO., LTD. |
发明人 |
TSAI, HAO-YI;CHEN, HSIEN-WEI;KUO, HUNG-YI;CHEN, JIE;CHEN, YING-JU;YU, TSUNG-YUAN |
分类号 |
H01L27/08;H01L21/768;H01L23/552 |
主分类号 |
H01L27/08 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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