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Fin-Feldeffekt-Speicherzelle (100), aufweisend:•zwei sich kreuzende Halbleiter-Finnen (101) mit vier voneinander getrennten Endteilbereichen, wobei jeder Endteilbereich der zwei sich kreuzenden Halbleiter-Finnen (101) einen Source/Drain-Bereich (1021, 1022, 1023, 1024) aufweist;•eine Ladungsspeicherschicht (103), die zumindest einen Teilbereich der zwei sich kreuzenden Halbleiter-Finnen (101) bedeckt; und•eine Gate-Schicht (104), die zumindest einen Teilbereich der Ladungsspeicherschicht (103) bedeckt.
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