| 摘要 |
Ein Halbleiterdrucksensor enthält n-Halbleitergebiete, die in einer Membran eines Halbleitersubstrats ausgebildet sind, piezoresistive Elemente, die jeweils in den n-Halbleitergebieten ausgebildet sind, und leitende abschirmende Dünnfilmschichten, die jeweils auf den piezoresistiven Elementen durch eine isolierende Dünnfilmschicht ausgebildet sind, und die piezoresistiven Elemente bilden eine Wheatstone-Brückenschaltung. Weiterhin sind die n-Halbleitergebiete und die leitenden abschirmenden Dünnfilmschichten durch in der Membran ausgebildete Kontakte elektrisch miteinander verbunden. |
