一种Tm掺杂LaVO₄发光材料及其熔体法晶体生长方法

摘要

本发明公开了一种Tm掺杂钒酸镧TmzLa1-zVO4发光材料（0.0001≤z≤0.1）。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；TmzLa1-zVO4可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。

主权项

一种Tm掺杂LaVO4发光材料，其特征在于所述发光材料分子式可表示为 TmzLa1‑zVO4，所述z的取值范围为：0.0001≤z≤0.1。