| 发明名称 | 一种湿法腐蚀样品的Si衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种湿法腐蚀Si衬底的方法，包括：1）在与Si衬底相反一侧的功能层上涂覆光刻胶层，并使其干燥；2）在Si衬底及功能层外周形成环氧树脂包裹层；3）在Si衬底侧的包裹层中形成开口，暴露硅衬底；4）利用刻蚀剂对暴露的硅衬底进行腐蚀；5）暴露出涂覆在功能层上的光刻胶层，使该光刻胶层溶解；6）使所述环氧树脂包裹层脱落。 | ||
| 申请公布号 | CN103311117A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201310172441.5 | 申请日期 | 2013.05.10 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 丁伟;郭红莲;甘霖;李志远 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种湿法腐蚀Si衬底的方法，包括：1）在与Si衬底相反一侧的功能层上涂覆光刻胶层，并使其干燥；2）在Si衬底及功能层外周形成环氧树脂包裹层；3）在Si衬底侧的包裹层中形成开口，暴露硅衬底；4）利用刻蚀剂对暴露的硅衬底进行腐蚀；5）暴露出涂覆在功能层上的光刻胶层，使该光刻胶层溶解；6）使所述环氧树脂包裹层脱落。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||