芯片堆叠结构及其制造方法

摘要

一种芯片堆叠结构及其制造方法，该芯片结构以大晶片作为堆叠基底，并在大晶片上进行芯片堆叠。通过此接合架构可实现高密度的电极接合，还可解决目前三维芯片构装需要中介基板作为转接界面的技术瓶颈。由于此芯片堆叠结构的加工简单，且相容于大晶片级加工，因此可以缩短加工时间，降低加工成本。本发明还同时公开了所述芯片堆叠结构的制造方法。

主权项

一种芯片堆叠结构，其特征在于，包括：一第一芯片，具有一第一表面以及配置于该第一表面上的多个第一接点；至少一第二芯片，堆叠于该第一表面上，且每一第二芯片具有面向该第一芯片的一第二表面、背对该第一芯片的一第三表面以及连接于该第二表面与该第三表面之间的多个侧面，每一第二芯片还包括：多个第一凸块，配置于该第二表面上；多个第二凸块，配置于该第三表面上，且每一第一凸块接合至相应的该第一接点或另一第二芯片的该第二凸块；以及多个第一贯穿电极，分别连接相应的该第一凸块与该第二凸块；一粘着材料，配置于该第一芯片以及该至少一第二芯片中的任两相邻芯片之间，以包覆每一第一凸块及其连接的该第一接点或另一第二芯片的该第二凸块，其中该粘着材料部分填满该两相邻芯片之间的间隙；以及一模塑材料，配置于该第一表面上，以包覆该粘着材料以及每一第二芯片的该侧面，且该模塑材料填满该第一芯片以及该至少一第二芯片中的任两相邻芯片之间的间隙。