III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法

摘要

本发明提供一种III族氮化物半导体激光二极管，其具有能够提供较高的光限制及载流子限制的覆层。在(20-21)面GaN衬底(71)上，以产生晶格弛豫的方式生长n型Al0.08Ga0.92N覆层(72)。在n型覆层(72)上，以产生晶格弛豫的方式生长GaN光导层(73a)。在光导层(73a)上，以不产生晶格弛豫的方式生长有源层(74)、GaN光导层(73b)、Al0.12Ga0.88N电子阻挡层(75)及GaN光导层(73c)。在光导层(73c)上，以产生晶格弛豫的方式生长p型Al0.08Ga0.92N覆层(76)。在p型覆层(76)上，以不产生晶格弛豫的方式生长p型GaN接触层(77)，从而制作半导体激光器(11a)。结(78a)～(78c)的位错密度大于其它结的位错密度。

主权项

一种III族氮化物半导体激光二极管，其特征在于，包含：第一导电型覆层，其设置于包含第一六方晶系III族氮化物半导体的半导体区域的主面上，并包含第二六方晶系III族氮化物半导体，第一光导层，其设置于所述第一导电型覆层上，并包含第三六方晶系III族氮化物半导体，载流子阻挡层，其包含第四六方晶系III族氮化物半导体，和有源层，其设置于所述第一导电型覆层与所述载流子阻挡层之间；所述半导体区域的所述主面相对于与该第一六方晶系III族氮化物半导体的c轴正交的基准面成10度以上的角度，所述第一导电型覆层在所述半导体区域的所述主面上产生晶格弛豫，所述第一导电型覆层、所述第一光导层、所述有源层及所述载流子阻挡层排列在所述半导体区域的所述主面的法线轴的方向上，所述载流子阻挡层中含有应变，且所述有源层包含含有应变的半导体层，所述第一光导层在所述第一导电型覆层的主面上产生晶格弛豫，所述半导体区域的所述主面显示无极性和半极性中的任意一者。