发明名称 | 一种聚二甲基硅氧烷薄膜的制作方法 | ||
摘要 | 本发明的目的是提供一种简便易行的聚二甲基硅氧烷薄膜的制作方法,该聚二甲基硅氧烷薄膜是通过将一定比例的预聚体和引发剂混合物填充到两个平行的基板中,加热聚合制备而成。本发明中提出的这种聚二甲基硅氧烷薄膜的制作方法,简便易行,避免使用甩胶工艺,能够满足微流控芯片的使用需求,在化学、生物、医学等应用领域具有良好的前景。 | ||
申请公布号 | CN103302842A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
申请号 | CN201310203713.3 | 申请日期 | 2013.05.27 |
申请人 | 苏州扬清芯片科技有限公司 | 发明人 | 赖宝玲 |
分类号 | B29C51/00(2006.01)I;B29L7/00(2006.01)N | 主分类号 | B29C51/00(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种聚二甲基硅氧烷薄膜的制作方法,其特征在于该薄膜是通过将一定比例的预聚体和引发剂混合物填充到两个平行的基板中,加热聚合制备而成。 | ||
地址 | 215000 江苏省苏州市园区唯华路2号 |