基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法

摘要

一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm、上电极50-200nm；其制备方法中氧化钒薄膜由射频溅射法制备，在氧化钒薄膜上通过磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铝薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化铝叠层结构，具有两次reset现象，可以获得3个阻态：低阻态、中间阻态和高阻态，每个阻态之间有10倍以上的阻值比；此外还具有良好的保持性和重复性。

主权项

一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器，其特征在于：由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50‑200 nm、氧化钒5‑200nm、氧化铝1‑50nm、上电极50‑200nm。