发明名称 |
晶体硅太阳能电池正面栅线电极专用Ag浆 |
摘要 |
晶体硅太阳能电池正面栅线电极专用Ag浆,符合新型高效太阳能电池制造工艺对Ag浆“高导、低杂、低腐蚀、低扩散、共烧成膜”的配套要求,在太阳能电池烧结曲线温度范围内,有效穿透PEVCD法制备的Si3N4减反射膜,并保护其功能;在电池的正硅面,到达的Ag与Si共晶合金化烧结,形成的金属化电极,实现AgSi欧姆接触;由烧结活化材料所实现的受控的有限活化的方法,有利于Ag扩散的减少,不破坏周边的Si3N4减反射膜,可阻止Ag浆中玻璃对硅面的浸蚀,防止Ag浆中复杂成分进入电池内部,扩大了快烧工艺的适应性;所述正栅电极Ag浆以其良好的电性能和工艺性能,可提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率,能稳定适用于高效太阳能电池产品的大规模工业化生产。 |
申请公布号 |
CN102157220B |
申请公布日期 |
2013.09.18 |
申请号 |
CN201110051575.2 |
申请日期 |
2011.02.28 |
申请人 |
张振中;张煜 |
发明人 |
张振中;张煜 |
分类号 |
H01B1/22(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)N |
主分类号 |
H01B1/22(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
晶体硅太阳能电池正面栅线电极专用Ag浆,其特征在于:在用Ag粉、烧结粘接剂和有机黏合剂制备的浆料中,为在硅面烧成Ag‑Si欧姆接触,添加了晶体硅太阳能电池正面Ag栅电极专用的烧结活化材料,这种烧结活化材料含有金属元素Mg,添加在Ag浆中的金属Mg含量占浆料重量的0.01%~5%,加入的Mg元素的存在形式包括含Mg的合金,包括Ag‑Mg,Mg‑Pb,Mg‑Sn,Mg‑Zn,Mg‑Ni系的合金;Mg的金属化合物,包括含Ag Mg,Ag3Mg,Mg2Pb,Mg2Sn的材料,以及含所述材料的混合料、复合材料。 |
地址 |
650031 云南省昆明市西站12号15栋103号 |