发明名称 应用于高压环境的雷电防护电路
摘要 本实用新型公开了一种应用于高压环境的雷电防护电路,P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上;P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上;N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连,N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上;N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地;稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上,正极连接在VDD上,所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。其优点是:其可应用于高压环境,且电路结构简单。
申请公布号 CN203205863U 申请公布日期 2013.09.18
申请号 CN201320221396.3 申请日期 2013.04.27
申请人 成都市宏山科技有限公司 发明人 黄友华
分类号 H02H9/04(2006.01)I 主分类号 H02H9/04(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 应用于高压环境的雷电防护电路,其特征在于:它包括P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和电阻R1;所述的P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上;所述的P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上;所述的N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连,N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上;所述的N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地;所述的稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上,负极连接在VDD上,所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。
地址 610000 四川省成都市高新区永丰路20号附2号1层
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