发明名称 |
应用于高压环境的雷电防护电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种应用于高压环境的雷电防护电路,P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上;P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上;N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连,N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上;N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地;稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上,正极连接在VDD上,所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。其优点是:其可应用于高压环境,且电路结构简单。 |
申请公布号 |
CN203205863U |
申请公布日期 |
2013.09.18 |
申请号 |
CN201320221396.3 |
申请日期 |
2013.04.27 |
申请人 |
成都市宏山科技有限公司 |
发明人 |
黄友华 |
分类号 |
H02H9/04(2006.01)I |
主分类号 |
H02H9/04(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
应用于高压环境的雷电防护电路,其特征在于:它包括P型场效应管MOS1、P型场效应管MOS2、N型场效应管MOS3、N型场效应管MOS4、稳压二极管D1和电阻R1;所述的P型场效应管MOS1的源极与栅极相连且同时连接在VDD上;所述的P型场效应管MOS2的源极与栅极相连且同时连接在P型场效应管MOS1的漏极上;所述的N型场效应管MOS3的漏极与P型场效应管MOS2的漏极相连,N型场效应管MOS3栅极与源极相连且同时连接在N型场效应管MOS4的漏极上;所述的N型场效应管MOS4的栅极连接在源极上且同时接地;所述的稳压二极管D1的正极连接在N型场效应管MOS4的源极上,负极连接在VDD上,所述的电阻R1的一端与P型场效应管MOS2的漏极相连。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区永丰路20号附2号1层 |