氧化物薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，氧化物薄膜晶体管设有固定设置于氧化物半导体层的裸露面表面的表面自主装单分子层。表面自主装单分子层是通有机溶剂、无机溶剂处理、烷烃硫醇、烷基或苯基取代的三乙氧基硅烷处理所述氧化物半导体层的表面获得的。其制备方法包括通过旋涂、滴涂或浸泡的方法在氧化物半导体层的裸露面表面制备表面自主装单分子层，可采用有机溶剂、无机溶剂处理、烷烃硫醇、烷基或苯基取代的三乙氧基硅烷处理所述氧化物半导体层的表面获得。本发明的氧化物薄膜晶体管具有稳定性好，制备方法具有工艺简单、成本低廉的特点。

主权项

一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于：设置有表面自主装单分子层，所述表面自主装单分子层固定设置于氧化物半导体层的裸露面表面。