半导体器件结构及其制造方法

摘要

本发明提出一种半导体器件结构及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层；嵌入所述第一绝缘层和半导体衬底形成浅沟槽隔离；嵌入所述第一绝缘层和所述半导体衬底形成条状凹槽；在所述凹槽内形成沟道区；形成所述沟道区上的栅堆叠线以及所述沟道区两侧的源/漏区。本发明的实施例适用于半导体器件的制造。

主权项

一种半导体器件结构的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层；嵌入所述第一绝缘层和半导体衬底形成浅沟槽隔离；嵌入所述第一绝缘层和所述半导体衬底形成条状凹槽；在所述凹槽内形成沟道区；形成所述沟道区上的栅堆叠线以及所述沟道区两侧的源/漏区，其中形成所述沟道区上的栅堆叠线，包括：在所述沟道区上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅电极线；将所述第一绝缘层去除；环绕所述栅电极线外侧形成侧墙；其中，在形成所述侧墙之后、完成所述半导体器件的前道工艺之前，将所述栅电极线进行切割以形成电隔离的栅电极。