发明名称 | 移位寄存器存储器及其驱动方法 | ||
摘要 | 本发明涉及移位寄存器存储器及其驱动方法。根据本实施例的移位寄存器存储器包括磁柱,该磁柱包括多个磁性层和在彼此邻近的磁性层之间提供的非磁性层。应力施加部分向磁柱施加应力。磁场施加部分向磁柱施加静磁场。应力施加部分向磁柱施加应力,以便将磁性层的磁化状态沿磁性层的层叠方向转移。 | ||
申请公布号 | CN103310847A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
申请号 | CN201210332585.8 | 申请日期 | 2012.09.10 |
申请人 | 株式会社 东芝 | 发明人 | 福住嘉晃;青地英明 |
分类号 | G11C19/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C19/34(2006.01)I |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
主权项 | 一种移位寄存器存储器包括:磁柱,包括多个磁性层和在彼此邻近的所述磁性层之间提供的非磁性层;应力施加部分,被配置为向所述磁柱施加应力,而所述磁性层的磁化状态被沿所述磁性层的层叠方向转移;以及磁场施加部分,向所述磁柱施加静磁场。 | ||
地址 | 日本东京都 |