| 发明名称 | 微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括：在玻璃基板上沉积前电极；对前电极进行P1激光划线；在前电极表面沉积单结或多结薄膜电池的各层系；对各层系进行P2激光划线；在各层系表面形成背电极；对包括背电极和各层系的电池组件进行热退火处理；对背电极和各层系进行P3激光划线。本发明的微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法能够进一步提高P3激光划线工艺的直线性和刻线光滑清晰度。 | ||
| 申请公布号 | CN103311368A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201310219742.9 | 申请日期 | 2013.06.05 |
| 申请人 | 福建铂阳精工设备有限公司 | 发明人 | 黄同阳;曲铭浩;胡安红;汝小宁;张津燕;徐希翔 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括：在玻璃基板上沉积前电极；对前电极进行P1激光划线；在前电极表面沉积单结或多结薄膜电池的各层系；对各层系进行P2激光划线；在各层系表面形成背电极；对包括背电极和各层系的电池组件进行热退火处理；对背电极和各层系进行P3激光划线。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区亦庄经济开发区锦绣街7号 | ||