发明名称 一种带隙可调的镁掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法
摘要 本发明涉及一种带隙受镁杂质浓度调控的铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)薄膜的制备方法,其特征是以氯化镁、醋酸铜、醋酸锌、氯化亚锡、硫脲为原料,利用溶胶凝胶技术制备出镁含量不同的铜锌锡硫薄膜,当镁与锌的比例在0到0.8范围内变化时,对应的带隙可在1.54到1.22eV之间变化,本方法工艺简单,成本低廉,掺杂元素无毒无害,可用于制备具有不同带隙的铜锌锡硫吸收层的叠层太阳电池。
申请公布号 CN103303970A 申请公布日期 2013.09.18
申请号 CN201310259146.3 申请日期 2013.06.26
申请人 吉林大学 发明人 李永峰;肖振宇;姚斌;丁战辉
分类号 C01G19/00(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I 主分类号 C01G19/00(2006.01)I
代理机构 长春市四环专利事务所 22103 代理人 郭耀辉
主权项 一种带隙可调的镁掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于以氯化镁、醋酸铜、醋酸锌、氯化亚锡、硫脲为原料,溶解在乙二醇甲醚和乙醇胺中,将获得的溶液旋涂于衬底上,干燥后,获得镁掺杂的铜锌锡硫薄膜。
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