用于控制异质外延生长的III族氮化物层的应力的层结构

摘要

本发明描述了一种III-N层结构，其包含在异质基材上的III-N缓冲层、附加的III-N层、第一III-N结构和第二III-N层结构。在III-N缓冲层之上的第一III-N结构包含至少两个III-N层，每个III-N层具有铝组成，并且这两个III-N层中更接近于III-N缓冲层的III-N层具有更大的铝组成。第二III-N结构包含III-N超晶格，所述III-N超晶格包含与至少两个III-N势垒层相互交错的至少两个III-N势阱层。第一III-N结构和第二III-N结构在附加的III-N层和异质基材之间。

主权项

III‑N层结构，其包含：在异质基材上的III‑N缓冲层；附加的III‑N层；在III‑N缓冲层之上的第一III‑N结构，其包含至少两个III‑N层，每个III‑N层具有铝组成，并且这两个III‑N层中更接近于III‑N缓冲层的III‑N层具有更大的铝组成；以及第二III‑N结构，其包含III‑N超晶格，所述III‑N超晶格包含与至少两个III‑N势垒层相互交错的至少两个III‑N势阱层，每个势阱层和每个势垒层具有铝组成，其中第一III‑N结构和第二III‑N结构在附加的III‑N层和异质基材之间。