| 发明名称 | 字线驱动电路及存储器电路 | ||
| 摘要 | 一种字线驱动电路和存储器电路，所述字线驱动电路包括：第一PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极与第一信号端相连接，所述第一NMOS晶体管的源极与第二信号端相连接，所述第一PMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的漏极相连接，且与字线相连；所述第一PMOS晶体管的栅极与第一控制信号端相连接，所述第一NMOS晶体管的栅极与第二控制信号端相连接，其中，所述第一NMOS晶体管的沟道区宽度小于所述第一PMOS晶体管的沟道区宽度。利用所述字线驱动电路和存储器电路可以降低字线驱动电路和存储器电路的芯片面积，且可以降低了所述存储器电路的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN103310830A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201210064075.7 | 申请日期 | 2012.03.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 權彞振;杨家奇;许家铭;郑晓 |
| 分类号 | G11C7/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种字线驱动电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极与第一信号端相连接，所述第一NMOS晶体管的源极与第二信号端相连接，所述第一PMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的漏极相连接，且与字线相连；所述第一PMOS晶体管的栅极与第一控制信号端相连接，所述第一NMOS晶体管的栅极与第二控制信号端相连接，其中，所述第一NMOS晶体管的沟道区宽度小于所述第一PMOS晶体管的沟道区宽度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||