用于太阳能电池发射体的湿化学反向蚀刻的方法

摘要

本发明涉及一种对太阳能电池的发射体进行湿化学蚀刻的方法。为了能够进行均匀的蚀刻，使用含有至少一种选自过二硫酸盐、过一硫酸盐和次氯酸盐的氧化剂的碱性蚀刻溶液作为蚀刻溶液。

主权项

一种用于在蚀刻溶液中将高度掺杂的硅层进行湿化学反向蚀刻的方法，其中所述硅层具有的掺杂剂浓度为大于1018原子/cm3，特别是大于1019原子/cm3，和所述高度掺杂的硅层是晶体太阳能电池发射体的表面区域，其特征在于使用含有至少一种选自过二硫酸盐、过一硫酸盐和次氯酸盐的氧化剂的碱性蚀刻溶液作为蚀刻溶液，其中当使用过二硫酸盐或过一硫酸盐时，在蚀刻溶液中分别的含量为30 g/L ‑150 g/L，和当使用次氯酸盐时，其含量为150 mL/L‑750 mL/L的含6% ‑ 14%活性氯的溶液。