半导体发光器件

摘要

本发明公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；和设置在所述多个化合物半导体层上并对应于所述垫的减震构件。

主权项

一种半导体发光器件，包括：多个化合物半导体层，其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；在所述电极层和所述化合物半导体层之间的欧姆接触层；在所述电极层的周边部分处形成的沟道层；设置在所述电极层上并对应于所述垫的减震构件；和形成在所述电极层和所述减震构件上的导电支撑构件，其中所述减震构件形成在所述电极层和所述导电支撑构件之间，其中所述沟道层形成在所述电极层和所述多个化合物半导体层之间，其中所述沟道层的内部部分形成在所述多个化合物半导体层上，所述沟道层的外部部分从所述多个化合物半导体层的侧壁向外延伸，和其中所述导电支撑构件与所述电极层和所述减震构件接触。