发明名称 TEM样品的制备方法
摘要 一种TEM样品的制备方法,包括:步骤S1:根据测试之需,设定制样方案;步骤S2:根据所述制样方案将所述样品减薄;步骤S3:对所述减薄后的样品之底部进行U形切;步骤S4:将所述经过U形切的样品旋转90°;步骤S5:在所述样品表面沉积作为保护层的电子束铂和离子束铂;步骤S6:切至目标处进行观测分析;步骤S7:根据所述观测分析结果优化所述制样方案;步骤S8:重复实施步骤S2~S7,直至所制样品符合要求。本发明所述TEM样品的制备方法,可以快速、方便地对按照预定方案制备出的TEM样品进行分析,了解样品的厚度、均匀性、污染程度等各方面情况,辅助调整制样方案,对新结构的TEM样品制备或新TEM样品制备人员的培训具有极大的帮助,推广性强。
申请公布号 CN103308365A 申请公布日期 2013.09.18
申请号 CN201310262908.5 申请日期 2013.06.27
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 陈强;孙蓓瑶
分类号 G01N1/28(2006.01)I 主分类号 G01N1/28(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 陆花
主权项 一种TEM样品的制备方法,其特征在于,所述TEM样品的制备方法包括:执行步骤S1:根据测试之需,设定制样方案;执行步骤S2:根据所述制样方案将所述样品减薄;执行步骤S3:对所述减薄后的样品之底部进行U形切;执行步骤S4:将所述经过U形切的样品旋转90°;执行步骤S5:在所述样品表面沉积作为保护层的电子束铂和离子束铂;执行步骤S6:切至目标处进行观测分析;执行步骤S7:根据所述观测分析结果优化所述制样方案;执行步骤S8:重复实施步骤S2~S7,直至所制样品符合要求。
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