发明名称 |
TEM样品的制备方法 |
摘要 |
一种TEM样品的制备方法,包括:步骤S1:根据测试之需,设定制样方案;步骤S2:根据所述制样方案将所述样品减薄;步骤S3:对所述减薄后的样品之底部进行U形切;步骤S4:将所述经过U形切的样品旋转90°;步骤S5:在所述样品表面沉积作为保护层的电子束铂和离子束铂;步骤S6:切至目标处进行观测分析;步骤S7:根据所述观测分析结果优化所述制样方案;步骤S8:重复实施步骤S2~S7,直至所制样品符合要求。本发明所述TEM样品的制备方法,可以快速、方便地对按照预定方案制备出的TEM样品进行分析,了解样品的厚度、均匀性、污染程度等各方面情况,辅助调整制样方案,对新结构的TEM样品制备或新TEM样品制备人员的培训具有极大的帮助,推广性强。 |
申请公布号 |
CN103308365A |
申请公布日期 |
2013.09.18 |
申请号 |
CN201310262908.5 |
申请日期 |
2013.06.27 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
陈强;孙蓓瑶 |
分类号 |
G01N1/28(2006.01)I |
主分类号 |
G01N1/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种TEM样品的制备方法,其特征在于,所述TEM样品的制备方法包括:执行步骤S1:根据测试之需,设定制样方案;执行步骤S2:根据所述制样方案将所述样品减薄;执行步骤S3:对所述减薄后的样品之底部进行U形切;执行步骤S4:将所述经过U形切的样品旋转90°;执行步骤S5:在所述样品表面沉积作为保护层的电子束铂和离子束铂;执行步骤S6:切至目标处进行观测分析;执行步骤S7:根据所述观测分析结果优化所述制样方案;执行步骤S8:重复实施步骤S2~S7,直至所制样品符合要求。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 |