发明名称 一种低噪声非晶硅非制冷红外探测器通用偏压装置
摘要 本发明属于非制冷红外探测器驱动电路设计技术领域,具体涉及一种低噪声非晶硅非制冷红外探测器通用偏压装置。本发明的装置包括数字-模拟转换设备、参考电压源和超低噪声滤波放大设备.参考电压源为数字-模拟转换设备提供高精度参考电压,数字-模拟转换设备输出电压经超低噪声滤波放大设备输出四路偏置电压,所述四路偏置电压分别输入至非晶硅非制冷红外探测器的GSK、VSK、GFID和VBUS接口。本发明的装置无需改变偏压装置硬件设备即可为不同偏压要求的非晶硅非制冷型红外探测器提供偏置电压,通用性得到显著提高;能够依据应用环境温度通过动态调整所供偏置电压调整探测器的动态响应范围,改善了探测器应用的自适应性。
申请公布号 CN103308179A 申请公布日期 2013.09.18
申请号 CN201310239926.1 申请日期 2013.06.17
申请人 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 发明人 王建超;毛贵超
分类号 G01J5/02(2006.01)I 主分类号 G01J5/02(2006.01)I
代理机构 核工业专利中心 11007 代理人 高尚梅;包海燕
主权项 一种低噪声非晶硅非制冷红外探测器通用偏压装置,包括数字‑模拟转换设备、参考电压源和超低噪声滤波放大设备,其特征在于:参考电压源为数字‑模拟转换设备提供高精度参考电压,数字‑模拟转换设备输出电压经超低噪声滤波放大设备输出四路偏置电压,所述四路偏置电压分别输入至非晶硅非制冷红外探测器的GSK、VSK、GFID和VBUS接口。
地址 300192 天津市南开区航天道58号