| 发明名称 | 穿硅通孔及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种穿硅通孔，其包括一绝缘层，连续的加衬在一凹入过孔结构的一侧壁上；一阻障层，连续的覆盖着该绝缘层；一不连续晶种层，其具有一第一部位，位于该凹入导孔结构的一端开口处；一不连续介电层，其部分地覆盖住该凹入过孔结构的该侧壁；以及一导电层，填入该凹入过孔结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103311198A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201210129959.6 | 申请日期 | 2012.04.27 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 邱钰珊;苏国辉 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种穿硅通孔，其特征在于，包含：绝缘层，连续的衬在凹入过孔结构的侧壁上；阻障层，连续的覆盖着所述绝缘层；不连续晶种层，包含第一部位，位于所述凹入过孔结构的一端开口处；不连续介电层，部分覆盖住所述凹入过孔结构的侧壁；以及导电层，填入所述凹入过孔结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||