发明名称 |
Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用 |
摘要 |
本发明提供了一种Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用。该制备方法可包括:取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合,并加入水混合均匀,常温静置24h~48h,再分离出固形物,经乙腈等清洗后获得Ag-TCNQ一维纳米晶。该制备方法可用以制备有机电子器件。本发明工艺简单,易于操作,无需特殊的反应设备,反应条件温和,在常温下即可进行,适于工业化生产,并且最终产物纯度高,不含杂质,表面光滑,尺寸分布均一,具有很好的电学存储性能。 |
申请公布号 |
CN103305920A |
申请公布日期 |
2013.09.18 |
申请号 |
CN201310199689.0 |
申请日期 |
2013.05.27 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
吴浩迪;潘革波;肖燕 |
分类号 |
C30B29/62(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/62(2006.01)I |
代理机构 |
苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 |
代理人 |
丁秀华 |
主权项 |
一种Ag‑TCNQ一维纳米晶的制备方法,其特征在于,包括:取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合,并加入水混合均匀,并静置24h以上,再分离出固形物,经清洗后获得Ag‑TCNQ一维纳米晶。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |