发明名称 Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用
摘要 本发明提供了一种Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用。该制备方法可包括:取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合,并加入水混合均匀,常温静置24h~48h,再分离出固形物,经乙腈等清洗后获得Ag-TCNQ一维纳米晶。该制备方法可用以制备有机电子器件。本发明工艺简单,易于操作,无需特殊的反应设备,反应条件温和,在常温下即可进行,适于工业化生产,并且最终产物纯度高,不含杂质,表面光滑,尺寸分布均一,具有很好的电学存储性能。
申请公布号 CN103305920A 申请公布日期 2013.09.18
申请号 CN201310199689.0 申请日期 2013.05.27
申请人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明人 吴浩迪;潘革波;肖燕
分类号 C30B29/62(2006.01)I 主分类号 C30B29/62(2006.01)I
代理机构 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 代理人 丁秀华
主权项 一种Ag‑TCNQ一维纳米晶的制备方法,其特征在于,包括:取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合,并加入水混合均匀,并静置24h以上,再分离出固形物,经清洗后获得Ag‑TCNQ一维纳米晶。
地址 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号