| 发明名称 | 阻变存储器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种阻变存储器的制造方法，所述方法包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成阻变功能层，其中，所述阻变功能层包括至少一层第一二元金属氧化物以及至少一层第二二元金属氧化物，且所述第一二元金属氧化物与第二二元金属氧化物交替层叠；进行热退火工艺；在所述阻变功能层上形成第二电极。不同的金属氧化物的金属离子存在差异，通过退火工艺，在两种金属氧化物的界面处发生扩散，形成复合的介电中间物，形成结构缺陷，从而优化阻变功能层的电学特性，提高转变参数的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN103311433A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201210058676.7 | 申请日期 | 2012.03.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;赵盛杰;谢常青;刘琦;吕航炳;张满红;霍宗亮;胡媛 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成阻变功能层，其中，所述阻变功能层包括至少一层第一二元金属氧化物以及至少一层第二二元金属氧化物，且所述第一二元金属氧化物与第二二元金属氧化物交替层叠；进行热退火工艺；在所述阻变功能层上形成第二电极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||