| 发明名称 | PN结构的掺杂方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种PN结构的掺杂方法，其包括：步骤S1、通过离子注入的方式将掺杂离子注入至一基底的表面中和/或背面中得到一PN结构；步骤S2、使用一第一洗液清洗该PN结构，该第一洗液用于去除溅射至该基底的表面上、背面上或侧面上的掺杂离子形成的掺杂杂质；步骤S3、对经过清洗的该PN结构进行退火处理。在本发明在离子注入后和退火激活工艺之前，增加一道非常简单、成本低廉的清洗工序，去除了意外溅射至该基底各个表面上的掺杂杂质，保证了该PN结构的性能，避免了边结漏电的引入。 | ||
| 申请公布号 | CN103311093A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201210064107.3 | 申请日期 | 2012.03.12 |
| 申请人 | 上海凯世通半导体有限公司 | 发明人 | 陈炯;陈维;洪俊华 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 薛琦;王婧荷 |
| 主权项 | 一种PN结构的掺杂方法，其特征在于，其包括：步骤S1、通过离子注入的方式将掺杂离子注入至一基底的表面中和/或背面中得到一PN结构；步骤S2、使用一第一洗液清洗该PN结构，该第一洗液用于去除溅射至该基底的表面上、背面上或侧面上的掺杂离子形成的杂质；步骤S3、对经过清洗的该PN结构进行退火处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号 | ||