| 发明名称 | 制备含硅膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了制备含硅膜的方法。本文描述了形成介电膜的方法，该膜包含硅、氧及任选的氮、碳、氢和硼。本文还公开了在待加工的物体，如半导体晶片，上形成介电膜或涂层的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102191479B | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201110036115.2 | 申请日期 | 2011.02.09 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | 杨柳;萧满超;韩冰;K·S·卡瑟尔;M·L·奥尼尔 |
| 分类号 | C23C16/42(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 吴亦华;徐志明 |
| 主权项 | 1.一种在衬底的至少一个表面上形成介电膜的方法，该方法包括：在反应室中提供衬底的至少一个表面；和将硅前体引入反应室中以形成所述介电膜，所述硅前体包括选自如下通式I和II的前体的至少一种：<img file="FSB00001065424000011.GIF" wi="728" he="278" />其中，通式I和II中的R和R<sup>1</sup>各自独立地是烷基、芳基、酰基或其组合。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||