一种闪存器件的浮栅结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种闪存器件的浮栅结构及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明通过在标准闪存工艺中改变浮栅的制作方式，加入三步淀积，两步刻蚀和一步CMP，形成“工”字形浮栅。除此之外其他步骤都和标准闪存工艺相同。本发明可以在不增加额外的光刻板，几乎不增加工艺复杂度的情况下，有效提高耦合系数，降低相邻器件之间的串扰，对提高闪存的编程速度和可靠性有重要作用。

主权项

一种闪存器件的浮栅结构的制备方法，该浮栅结构的沿沟道宽度方向的截面呈“工”字型，即分为上、中、下三部分，上、下部分宽，中间部分窄，具体制备步骤如下：1—1）在硅衬底上依次生长牺牲氧化硅层和淀积氮化硅层；1—2）光刻、并刻蚀有源区，形成浅槽隔离区；1—3）淀积隔离介质层，并去除牺牲氧化硅层和氮化硅层，开出浮栅区域窗口；1—4）生长或者淀积隧穿氧化层，然后依次淀积多晶硅浮栅材料和锗硅材料；1—5）淀积顶层多晶硅浮栅材料，并回刻，形成多晶硅硬掩膜；1—6）以多晶硅为硬掩膜刻蚀锗硅，停止在底层多晶硅浮栅上；1—7）淀积多晶硅，使得顶层多晶硅浮栅和底层多晶浮栅相连；1—8）化学机械抛光顶层多晶硅，停止在隔离区的氧化层上；1—9）回刻浅槽隔离区的氧化层，侧面露出步骤4中淀积的锗硅层；1—10）湿法腐蚀去除锗硅，淀积阻挡氧化层；1—11）淀积控制栅多晶硅，这样就形成了被控制栅包围的“工”字型浮栅结构；形成本发明的浮栅结构以后，制备闪存单元的后续工艺步骤和传统的闪存工艺并无区别。