发明名称 |
一种薄膜晶体管和阵列基板 |
摘要 |
本实用新型公开了一种薄膜晶体管和阵列基板。用以解决现有TFT结构在出现不良现象后无法维修正常的问题,提供一种TFT当其在出现不良时,维修后可正常工作。本实用新型所述薄膜晶体管包括:栅极、半导体层、源极和漏极;所述源极和漏极同层设置,所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间;所述栅极与所述半导体层相绝缘;其中,所述源极为U形;所述漏极包括呈直线形的第一漏电极,该第一漏电极位于该U形源极的缺口中沿与所述U形源极的底部最低点的切线相平行的方向设置。 |
申请公布号 |
CN203205427U |
申请公布日期 |
2013.09.18 |
申请号 |
CN201320209102.5 |
申请日期 |
2013.04.23 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
发明人 |
李琳;郝昭慧;张明 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:栅极、半导体层、源极和漏极;所述源极和漏极同层设置,所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间;所述栅极与所述半导体层相绝缘;其中,所述源极为U形;所述漏极包括呈直线形的第一漏电极,该第一漏电极位于该U形源极的缺口中沿与所述U形源极的底部最低点的切线相平行的方向设置。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |