发明名称 一种薄膜晶体管和阵列基板
摘要 本实用新型公开了一种薄膜晶体管和阵列基板。用以解决现有TFT结构在出现不良现象后无法维修正常的问题,提供一种TFT当其在出现不良时,维修后可正常工作。本实用新型所述薄膜晶体管包括:栅极、半导体层、源极和漏极;所述源极和漏极同层设置,所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间;所述栅极与所述半导体层相绝缘;其中,所述源极为U形;所述漏极包括呈直线形的第一漏电极,该第一漏电极位于该U形源极的缺口中沿与所述U形源极的底部最低点的切线相平行的方向设置。
申请公布号 CN203205427U 申请公布日期 2013.09.18
申请号 CN201320209102.5 申请日期 2013.04.23
申请人 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 发明人 李琳;郝昭慧;张明
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人 黄志华
主权项 一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:栅极、半导体层、源极和漏极;所述源极和漏极同层设置,所述半导体层位于所述栅极与源极和漏极所在的膜层之间;所述栅极与所述半导体层相绝缘;其中,所述源极为U形;所述漏极包括呈直线形的第一漏电极,该第一漏电极位于该U形源极的缺口中沿与所述U形源极的底部最低点的切线相平行的方向设置。
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