一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路

摘要

本发明提供一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，包括管壳和芯片，管壳由壳底、壳体和盖板构成，芯片放置在壳底上，其特征在于：壳体包括第一介质层、第一金属基层、第二介质层、第二金属基层、第三介质层和第三金属基层；所述第一介质层、第一金属基层、第二介质层、第二金属基层、第三介质层和第三金属基层从上至下按顺序叠合，芯片通过键合线与第二金属基层连接，第一金属基层和第三金属基层通过第一通孔连接。本发明能够有效地降低信号通道的耦合效应，降低本振泄露，具有高的隔离度，系统结构简单，能够减少投片次数，提高了工作效率和经济效益，具有良好的应用前景。

主权项

一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，包括管壳和芯片（7），管壳由壳底（8）、壳体（10）和盖板（1）构成，芯片（7）放置在壳底（8）上，其特征在于：壳体（10）包括第一介质层（9a）、第一金属基层（2a）、第二介质层（9b）、第二金属基层（2b）、第三介质层（9c）和第三金属基层（2c）；所述第一介质层（9a）、第一金属基层（2a）、第二介质层（9b）、第二金属基层（2b）、第三介质层（9c）和第三金属基层（2c）从上至下按顺序叠合，芯片（7）通过键合线（6）与第二金属基层（2a）连接，第一金属基层（2a）和第三金属基层（2c）通过第一通孔（11）连接；所述壳体（10）还包括第四介质层（9d），第四介质层（9d）叠合在第三金属基层（2c）之下方；所述壳体（10）还包括第四金属基层（2d）、第五介质层（9e）和第五金属基层（2e），第四金属基层（2d）、第五介质层（9e）和第五金属基层（2e）从上至下按顺序叠合，并且，第四金属基层（2d）叠合在第四介质层（9d）之下方，第二金属基层（2b）与第四金属基层（2d）通过第二通孔（4）相连，第一金属基层（2a）、第三金属基层（2c）和第五金属基层（2e）通过第一通孔（11）连接。