| 发明名称 | 碳化硅半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法，以在分割成多个芯片的碳化硅半导体衬底中，分割后能够抑制放电产生。本发明包括：n＋型衬底（1）；n＋型衬底1上形成的杂质浓度比n＋型衬底（1）低的漂移外延层（2）；漂移外延层（2）上形成的肖特基电极（6）；以及至少覆盖肖特基电极（6）的端部、和漂移外延层（2）的端部及侧面而形成的作为绝缘膜的PI（8）。 | ||
| 申请公布号 | CN103311317A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201210582270.9 | 申请日期 | 2012.12.28 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 松野吉德 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种碳化硅半导体装置，其特征在于，包括：碳化硅半导体衬底（1）；外延层（2），在所述碳化硅半导体衬底（1）上形成，该外延层（2）的杂质浓度比所述碳化硅半导体衬底（1）低；电极（6），在所述外延层（2）上形成；以及绝缘膜（8），至少覆盖所述电极（6）的端部、和所述外延层（2）的端部及侧面而形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||