| 发明名称 | 在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法 | ||
| 摘要 | 一种在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上制备一单晶薄膜；步骤2：在单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；步骤3：在光刻胶上制备一有序排列的微纳米球单层膜；步骤4：利用微纳米球的聚光作用，通过光刻机对光刻胶进行曝光；步骤5：去掉微纳米球单层膜，并显影出有序排列的光刻胶微纳米孔阵列；步骤6：通过干法刻蚀将微纳米孔阵列转移到单晶薄膜上，在单晶薄膜上形成单晶薄膜微纳米孔阵列；步骤7：利用单晶薄膜微纳米孔阵列作为掩膜，湿法腐蚀蓝宝石衬底，从而在蓝宝石衬底上获得有序的微纳米图形阵列；步骤8：去除单晶薄膜掩膜后，完成制备。 | ||
| 申请公布号 | CN103311097A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201310196493.6 | 申请日期 | 2013.05.24 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 董鹏;王军喜;闫建昌;张韵;曾建平;孙莉莉;李晋闽 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上制备一单晶薄膜；步骤2：在单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；步骤3：在光刻胶上制备一有序排列的微纳米球单层膜；步骤4：利用微纳米球的聚光作用，通过光刻机对光刻胶进行曝光；步骤5：去掉微纳米球单层膜，并显影出有序排列的光刻胶微纳米孔阵列；步骤6：通过干法刻蚀将微纳米孔阵列转移到单晶薄膜上，在单晶薄膜上形成单晶薄膜微纳米孔阵列；步骤7：利用单晶薄膜微纳米孔阵列作为掩膜，湿法腐蚀蓝宝石衬底，从而在蓝宝石衬底上获得有序的微纳米图形阵列；步骤8：去除单晶薄膜掩膜后，完成制备。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||