碲镉汞气相外延材料的N型热处理工艺方法

摘要

本发明公开了一种碲镉汞气相外延材料的N型热处理工艺方法，该方法采用开管式热处理工艺方法，可以在气相外延腔体内完成。该方法可以用于将利用气相外延技术生长的不均匀的N型薄膜材料调整到77K电子浓度为1～10×1014cm-3左右，迁移率105cm-3/V·s左右；使得生长出的碲镉汞气相外延材料满足制作红外光导器件制作的要求；在碲镉汞气相外延材料的N型热处理工艺中，无需再添加汞源，利用系统中原有的汞气氛便可实现；在对碲镉汞气相外延材料进行的N型热处理工艺中，需要在腔体中保持氢气的流通状态，以利于在热处理过程中气相与固相之间汞原子的交换，同时也为样品表面形貌的保持提供一定的保证。

主权项

一种碲镉汞气相外延材料的N型热处理工艺方法，其特征在于方法如下：在碲镉汞材料气相外延生长程序结束后，直接降温到所需温度对生长后的外延材料进行热处理，热处理过程中保持氢气的流通,具体热处理温度及时间根据材料所处波段确定，对于组分x为0.263～0.329的中波Hg1‑xCdxTe外延材料，温度为350℃，时间为1小时；对于组分为0.231～0.254的长波Hg1‑xCdxTe材料，温度为220℃，时间为5小时。