半导体存储装置和减少半导体存储装置芯片面积的方法

摘要

本发明提供一种半导体存储装置和减少半导体存储装置芯片面积的方法，所述半导体存储装置包括：电荷泵模块和切换模块，所述电荷泵模块的电容通过切换模块连接至VDD，其中，所述电荷泵模块，用于在写操作时为半导体存储装置提供抬举电容，并且在读操作时为电源提供去耦电容；所述切换模块，用于切换所述电荷泵模块的电容在写操作和读操作的工作状态。所述的半导体存储装置可大大减少原有去耦电容的容量，因此使得芯片面积大大减少，而且对于正常的读和写操作来说，均没有性能上的损失。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于，包括：电荷泵模块、切换模块和抬举模块，所述电荷泵模块的电容通过切换模块连接至VDD，其中，所述电荷泵模块，用于在写操作时为半导体存储装置提供抬举电容，并且在读操作时为电源提供去耦电容；所述切换模块，用于切换所述电荷泵模块的电容在写操作和读操作的工作状态；所述抬举模块，用于对所述切换模块提供开关使能信号；所述电荷泵模块包括：第一MOS管、第二MOS管、第一电容和第二电容，所述切换模块包括：第三MOS管和第四MOS管，其中，所述第一电容的一端连接第一MOS管的源极和第三MOS管的源极，另一端接地；所述第二电容的一端连接第二MOS管的源极和第四MOS管的源极，另一端接地；所述第三MOS管和第四MOS管的漏极均连接VDD，第一MOS管和第二MOS管的栅极均连接VDD，漏极连接电荷泵模块的输出端。