具有电流浪涌能力的结势垒肖特基二极管

摘要

一种电子器件包括具有第一导电类型的碳化硅漂移区，位于所述漂移区上的肖特基接触，以及相邻所述肖特基接触的所述漂移区的表面处的多个结势垒肖特基(JBS)区域。JBS区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型以及具有所述JBS区域中的相邻JBS区域之间的第一间隙。所述器件进一步包括具有第二导电类型的多个浪涌保护子区域。每个浪涌保护子区域具有浪涌保护子区域的相邻浪涌保护子区域之间的小于所述第一间隔的第二间隔。

主权项

一种肖特基二极管，包括：具有第一导电类型的碳化硅漂移区；位于所述漂移区上的肖特基接触；位于邻近所述肖特基接触的漂移区表面处的多个结势垒肖特基JBS区域，所述多个JBS区域具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型以及第一宽度，并在所述JBS区域中的相邻JBS区域之间具有第一间隔；以及位于邻近所述肖特基接触的漂移区表面处的浪涌保护区域，所述浪涌保护区域具有大于所述第一宽度的第二宽度，并且包括具有所述第二导电类型的多个浪涌保护子区域，以及每个浪涌保护子区域具有小于所述第一宽度的第三宽度以及在所述浪涌保护子区域中的相邻浪涌保护子区域之间具有第二间隔，所述第二间隔小于所述JBS区域中的相邻JBS区域之间的所述第一间隔。