| 发明名称 | 化学机械研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种化学机械研磨方法，用于研磨沟槽上方的金属，包括主研磨和研磨去除剩余金属的步骤，当沟槽上方金属厚度大于等于15千埃时，该方法包括：主研磨沟槽上方预定厚度的金属分为多步完成，每步主研磨速率为5～9千埃每分钟；研磨去除沟槽上方剩余的金属。采用该方法大大减少了研磨产生的副产物，从而减少对导线金属铜的划伤。 | ||
| 申请公布号 | CN102079063B | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN200910200021.7 | 申请日期 | 2009.12.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 江志琴 |
| 分类号 | B24B29/02(2006.01)I;B24B37/04(2012.01)I | 主分类号 | B24B29/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨方法，用于研磨沟槽上方的金属，包括主研磨和研磨去除剩余金属的步骤，当沟槽上方金属厚度大于等于15千埃时，该方法包括：主研磨沟槽上方预定厚度的金属分为多步完成，每步主研磨速率为9千埃每分钟；每步主研磨时间小于100秒；研磨去除沟槽上方剩余的金属。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||