半导体器件的制造方法以及半导体器件

摘要

本发明的发明名称是半导体器件的制造方法以及半导体器件，本发明提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件的制造方法以及半导体器件。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具备在基板上将绝缘膜、具有固溶氧形态的金属膜、以及布线金属膜按照该顺序层叠的层叠结构，所述金属膜为选自Ti、TiRux、TiPdx、TiPt和TiAux的金属膜，所述布线金属膜为Cu膜，上述金属膜的氧化物的根据X射线衍射测定得出的衍射强度是上述金属膜和上述布线金属膜的化合物的衍射强度的10倍以下，上述金属膜的上述绝缘膜侧的部分的氧浓度比上述布线金属膜侧的部分高。