| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种可以低成本、高产量地制造高性能、高可靠性的半导体器件的技术。根据本发明的存储器件包括：含多个绝缘体的第一导电层；有机化合物层，该层位于上述含绝缘体的第一导电层之上；以及第二导电层，该层位于有机化合物层之上。 | ||
| 申请公布号 | CN101167189B | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN200680014616.8 | 申请日期 | 2006.04.25 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 汤川干央;大泽信晴;浅见良信;川俣郁子;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L27/28(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张鑫 |
| 主权项 | 一种用于制造具有存储元件的半导体器件的方法，包括：形成第一导电层；通过掺杂方法在所述第一导电层中添加多个绝缘体，使得所述多个绝缘体分布在所述第一导电层中；在所述第一导电层上形成有机化合物层；以及在所述有机化合物层上形成第二导电层，其中所述多个绝缘体混合入所述第一导电层，并且其中所述第一导电层的第一区域中的多个绝缘体的浓度不同于所述第一导电层的第二区域中的多个绝缘体的浓度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||