| 发明名称 | Si衬底三结级联太阳电池及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种Si衬底三结级联太阳电池，包括按照远离Si衬底10的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaAs接触层。本发明采用Si衬底制作的三结级联太阳能电池，实现带隙能量分别为1.89eV/1.42eV/1.0eV，获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，实现较高的光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103311354A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201310210307.X | 申请日期 | 2013.05.30 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉 |
| 分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人 | 杨林;马翠平 |
| 主权项 | 一种Si衬底三结级联太阳电池，其特征在于，包括从下至上依次设置在Si衬底上的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaAs接触层。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号 | ||