一种微凸点制造过程中防止微凸点侧向钻蚀的方法

摘要

本发明公开了一种微凸点的形成方法，包括：s1、在半导体基底上形成焊盘；s2、在焊盘及半导体基底表面形成介质层，所述的介质层上开设有窗口，所述的窗口与焊盘对应；s3、在介质层及焊盘的表面形成种子层；s4、在所述种子层表面电镀形成微凸点；s5、在微凸点周围一定距离内的种子层上形成阻挡层；s6、刻蚀未被阻挡层覆盖的种子层；s7、回流焊料。本发明提出通过在微凸点周围的种子层上覆盖一层刻蚀阻挡层，这样在进行种子层刻蚀时，可以保护其下面的种子层免受刻蚀，从而防止出现侧向钻蚀的现象。提高微凸点加工制造的可靠性和良品率。

主权项

一种微凸点制造过程中防止微凸点侧向钻蚀的方法，其特征在于，包括：s1、在半导体基底上形成焊盘；s2、在焊盘及半导体基底表面形成介质层，所述的介质层上开设有窗口，所述的窗口与焊盘对应；s3、在介质层及焊盘的表面形成种子层；s4、在所述种子层表面电镀形成微凸点；s5、在微凸点周围一定距离内的种子层上形成阻挡层,所述的一定距离满足：经步骤s6的刻蚀后，种子层的端部恰好与微凸点的边缘对齐或位于微凸点的外部；s6、刻蚀未被阻挡层覆盖的种子层；s7、回流焊料。