发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明的目的在于提供即使密封大型基板也能抑制密封后基板的翘曲和裂缝的半导体装置的制造方法。本发明提供了半导体装置的制造方法,其使用具有上金属模具和下金属模具的成型金属模具,其具有:配置工序,将半导体元件搭载基板配置在加热至室温~200℃的前述成型金属模具的前述上金属模具和前述下金属模具中的一个金属模具上,并将半导体元件非搭载基板配置在另一个金属模具上;一体化工序,利用配置有前述半导体元件搭载基板和前述半导体元件非搭载基板的前述成型金属模具,使热固化性树脂成型,使前述半导体元件搭载基板和前述半导体元件非搭载基板一体化;单颗化工序,将该经一体化的基板从前述成型金属模具中取出,并切割,来进行单颗化。 | ||
申请公布号 | CN103311135A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
申请号 | CN201310080256.3 | 申请日期 | 2013.03.13 |
申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 塩原利夫;关口晋;秋叶秀树 |
分类号 | H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张永康;向勇 |
主权项 | 一种半导体装置的制造方法,其是使用具有上金属模具和下金属模具的成型金属模具来制造半导体装置的方法,其特征在于,其具有:配置工序,将半导体元件搭载基板配置在加热至室温~200℃的前述成型金属模具的前述上金属模具和前述下金属模具中的一个金属模具上,并将半导体元件非搭载基板配置在另一个金属模具上;一体化工序,利用配置有前述半导体元件搭载基板和前述半导体元件非搭载基板的前述成型金属模具,使热固化性树脂成型,由此来使前述半导体元件搭载基板和前述半导体元件非搭载基板一体化;及,单颗化工序,将该一体化的基板从前述成型金属模具中取出,并切割,来进行单颗化。 | ||
地址 | 日本东京都 |