晶体管的形成方法，CMOS的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，一种CMOS的形成方法；其中，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有栅介质层、栅电极层和硬掩膜层，所述栅介质层、栅电极层和硬掩膜层两侧依次形成有第一侧墙和伪侧墙；在紧邻所述伪侧墙两侧的半导体衬底内形成应力衬垫层；在形成应力衬垫层后，去除所述伪侧墙，再在所述第一侧墙外侧表面形成第二侧墙；在形成第二侧墙后，对所述应力衬垫层进行离子注入，再在所述应力衬垫层内形成自对准硅化物层，所述自对准硅化物层的表面与应力衬垫层表面齐平；在形成自对准硅化物层后，去除所述硬掩膜层。本发明所述晶体管的形成方法能够提高沟道区载流子的迁移率，提高晶体管的性能。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅介质层，所述栅介质层表面形成有栅电极层，所述栅电极层表面形成有硬掩膜层，所述栅介质层、栅电极层和硬掩膜层两侧形成有第一侧墙，所述第一侧墙外侧表面形成有伪侧墙；在紧邻所述伪侧墙两侧的半导体衬底内形成应力衬垫层；在形成应力衬垫层后，去除所述伪侧墙；在去除所述伪侧墙后，在所述第一侧墙外侧表面形成第二侧墙；在形成第二侧墙后，对所述应力衬垫层进行离子注入；对所述应力衬垫层进行离子注入后，在所述应力衬垫层内形成自对准硅化物层，所述自对准硅化物层的表面与应力衬垫层表面齐平；在形成自对准硅化物层后，去除所述硬掩膜层。