发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明涉及半导体装置及其制造方法,能够使屏蔽层与基板GND简便地导通,谋求屏蔽效果的提高及制造成本的降低。半导体装置的制造方法包括:在基板(10)上搭载多个半导体芯片(20),并且沿着包含切割线的芯片周边部形成上表面的高度比基板表面高的导电体(30)的工序;以树脂层(40)覆盖各半导体芯片(20)及导电体(30)的工序;对树脂层(40)沿着切割线进行半切削,并且使导电体(30)的上表面露出的工序;以导电材料覆盖通过半切削而露出的导电体(30)及树脂层(40)的工序;和以切割线对所述基板(10)、所述导电体(30)及所述导电材料(40)进行切削,切出为各个装置的工序。
申请公布号 CN103311226A 申请公布日期 2013.09.18
申请号 CN201310040814.3 申请日期 2013.02.01
申请人 株式会社 东芝 发明人 藤田努;高野勇佑;川户雅敏
分类号 H01L23/552(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 主分类号 H01L23/552(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 周春燕;陈海红
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体芯片,其搭载于基板上;导电体,其沿着所述基板的周边部的至少一部分设置于该基板上;树脂层,其以不覆盖所述导电体的上表面的至少一部分而覆盖所述基板的上部及所述半导体芯片的方式设置;以及屏蔽层,其以覆盖所述树脂层的方式设置,且直接连接于所述导电体的上表面;所述导电体以包围所述半导体芯片的周边的方式设置;所述导电体的高度设定为比所述基板上的所述半导体芯片以外的部分高。
地址 日本东京都