纳米管金属氧化物半导体场效应管技术与器件

摘要

本发明提出了一种沉积在半导体衬底中的半导体功率器件，其中半导体衬底具有数个沟槽。每个沟槽都用数个导电类型交替的外延层填充，数个外延层构成纳米管，堆积成层状，作为传输沟槽，沿侧壁方向延伸，纳米管大量沉积在每个沟槽的中心处，并有“缝隙填充”层填充纳米管之间的合并缝隙。“缝隙填充”层可以是非常轻掺杂的硅或生长、沉积的介电层。在一个典型实施例中，用立柱分隔数个沟槽，每个立柱的宽度约为沟槽宽度的1/3至1/2。

主权项

一种半导体功率器件，包含一个带有数个从顶面开口的沟槽的半导体衬底；其特征在于，每个所述的沟槽用多个具有交替导电类型的外延层填充，该交替导电类型的外延层沿侧壁方向延伸，堆积成层状，构成纳米管用作传导通道，所述的沟槽通过立柱分隔，所述的纳米管和立柱都是电荷平衡的，在每个所述的沟槽的大约中心处由一缝隙填充物填充所述的纳米管之间的一合并缝隙，所述的半导体衬底在所述的纳米管下面，还包括一个纳米管合并区，在纳米管和立柱的底部合并在一起。