发明名称 一种带有写重传功能的多通道NANDflash控制器
摘要 本发明提供一种带有写重传功能的多通道NANDflash控制器,包含微控制器、设备控制器、设备端DMA控制器、片内存储器控制逻辑、片内存储器、片外存储器控制逻辑、片外存储器、写重传FIFO、写重传缓存区写入控制逻辑、NANDflash DMA控制器、ECC编码器、ECC解码器、数据缓存区、NANDflash接口控制逻辑。通过采用片外存储器作为写重传缓存区,在写Nandflash失败时能直接从片外存储器取出数据重新写入,从而以很小的硬件设计大大缩短了写Nandflash失败的处理时间。
申请公布号 CN102103558B 申请公布日期 2013.09.18
申请号 CN200910201375.3 申请日期 2009.12.18
申请人 上海华虹集成电路有限责任公司 发明人 迟志刚;居晓波
分类号 G06F13/28(2006.01)I;G06F12/08(2006.01)I 主分类号 G06F13/28(2006.01)I
代理机构 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 代理人 曹立维
主权项 一种带有写重传功能的多通道NANDflash控制器,包含微控制器、设备控制器、设备端DMA控制器、片内存储器控制逻辑单元、片内存储器、NANDflash DMA控制器、ECC编码器、ECC解码器、数据缓存区、NANDflash接口控制逻辑单元、写重传FIFO、写重传缓存区写入控制逻辑单元、片外存储器控制逻辑单元和片外存储器,微控制器与设备控制器、设备端DMA控制器、片内存储器控制逻辑单元、片外存储器控制逻辑单元、NANDflashDMA控制器、ECC编码器以及NANDflash接口控制逻辑单元双向通信连接,设备端DMA控制器将通信数据分为两路,一路通过片内存储器控制逻辑写入片内存储器,另一路通过写重传FIFO和写重传缓存区写入控制逻辑及片外存储器控制逻辑写入片外存储器中,其特征在于写操作时所述写重传FIFO暂存将要写入位于片外存储器的数据,写重传缓存区写入控制逻辑将写入片内存储器的数据同时写入写重传缓存区。
地址 201203 上海市碧波路572弄39号