半导体结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种抗紫外线、抗漏电的半导体结构及其制作方法，其特征在于使用非晶硅取代已知技术中所使用的富氧硅层或超富氧硅层，以改善蚀刻控制问题。本发明另一特征在于接触洞内使用氮化硅间隙壁，以解决导电层漏电的问题。

主权项

一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包含有：提供基底，包含导电层；于该导电层上形成介电层，其中该介电层至少包含有硅氧层、非晶硅层、绝缘层以及防漏电层，该非晶硅层位于该介电层中的最上层之下以及该防漏电层之下；于该介电层中形成接触洞，以暴露出部分的该导电层；于该接触洞的侧壁上形成防漏电间隙壁；以及于该接触洞内形成接触插塞。