发明名称 |
用于超级结器件的拐角布局 |
摘要 |
一种超级结器件以及超级结器件的布局设计和制备方法,可以配置有源单元立柱结构的布局,使第一导电类型掺杂物的电荷,与有源单元区的掺杂层中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。设计终止立柱结构附近的有源单元立柱结构末端的布局,使末端里的第一导电类型掺杂物的电荷以及终止立柱结构中第一导电类型掺杂物的电荷,与掺杂层在终止立柱结构与末端之间的那部分中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。 |
申请公布号 |
CN102169836B |
申请公布日期 |
2013.09.18 |
申请号 |
CN201110043048.7 |
申请日期 |
2011.02.15 |
申请人 |
万国半导体股份有限公司 |
发明人 |
管灵鹏;安荷·叭剌;朱廷刚;马督儿·博德 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
竺路玲 |
主权项 |
一种用于设计超级结器件布局的方法,其特征在于,该方法包括:步骤a:确定形成在超级结器件的掺杂层中,有源单元区的有源单元立柱结构中每单位面积上,以及形成在掺杂层中有源单元区周围的终止区的终止立柱结构中的每单位面积上,第一类型掺杂物的植入剂量Qimp,其中所述的掺杂层具有厚度t以及与第一导电类型掺杂物的电荷类型相反的第二导电类型的掺杂物的掺杂密度M;步骤b:设计有源单元立柱结构的布局,使第一导电类型掺杂物的电荷,与有源单元区的掺杂层中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡;并且步骤c:设计终止立柱结构附近的有源单元立柱结构末端的布局,使末端里的第一导电类型掺杂物的电荷以及终止立柱结构中第一导电类型掺杂物的电荷,与超级结器件的拐角区域中的第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡;设计立柱结构末端的布局,包括考虑到拐角的曲率,对有源单元立柱结构的拐角附近的有源单元立柱结构的末端布局进行调整;包括调整布局的形状,将拐角附近的一部分掺杂层分成面积为A的一个或多个区域,并设计有源单元立柱结构的末端,使任意一个或多个区域都含有一个面积为A1的第一导电类型掺杂物的终止立柱和/或有源单元立柱结构,以至于对于任意一个或多个区域而言,A1/A都是一个常数;拐角附近的一个或多个有源单元立柱结构的末端的布局都含有一个钩状部分,并且末端为弯曲部分,其中设计末端的拐角布局包括设计钩状部分,以保持A1/A这个常数。 |
地址 |
美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号 |