薄膜晶体管基板及其制造方法

摘要

本发明防止在高温下对设置有沟道保护层的薄膜晶体管进行退火处理时在源极电极和漏极电极中产生小丘(凹凸)。具有以覆盖氧化物半导体膜(14)的沟道部的方式岛状地设置的沟道保护层(15a)的薄膜晶体管基板中，源极电极(16S)和漏极电极(16D)由铝合金膜或包含铝合金膜的层叠膜构成。

主权项

一种薄膜晶体管基板，包括：基板；设置在所述基板上的栅极电极；设置在所述基板上、覆盖所述栅极电极的栅极绝缘膜；设置在所述栅极绝缘膜上，在与所述栅极电极相对的位置形成有沟道部的氧化物半导体膜；设置在所述氧化物半导体膜上，岛状地覆盖所述沟道部的沟道保护层；设置在所述氧化物半导体膜上，隔着所述沟道部和沟道保护层互相分离地设置的源极电极和漏极电极；和设置在所述源极电极和漏极电极的上层的层间绝缘膜，所述薄膜晶体管基板的特征在于：所述源极电极和漏极电极由铝合金膜或包含铝合金膜的层叠膜构成。