| 发明名称 | 具有应变区的finFET器件 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法包括提供衬底，在该衬底上设置有鳍片。在鳍片上形成栅极结构。该栅极结构与鳍片的至少两个侧面通过界面接合。在衬底上包括在鳍片上形成应力膜。对包括应力膜的衬底进行退火。退火在鳍片的沟道区中提供拉伸应变。例如，可以传递应力膜中的压缩应变，从而在鳍片的沟道区中形成拉伸应力。本发明提供具有应变区的finFET器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103311125A | 申请公布日期 | 2013.09.18 |
| 申请号 | CN201310006943.0 | 申请日期 | 2013.01.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李宗霖;袁锋;江宏礼;叶致锴 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上设置有鳍片；在所述鳍片上形成栅极结构，其中，所述栅极结构与所述鳍片的至少两个侧面通过界面接合；在所述衬底上沉积应力膜；以及对包括所述应力膜的所述衬底进行退火，其中，所述退火在所述鳍片的沟道区中提供拉伸应变。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||