发明名称 |
阻气性塑料成型体的制造方法 |
摘要 |
本发明的目的为提供一种阻气性塑料成型体的制造方法,其仅使用高安全性的原料气,利用发热体CVD法在塑料成型体的表面上形成实质上无色且具有阻气性的阻气薄膜。本发明涉及的阻气性塑料成型体的制造方法是在塑料成型体(91)的表面上形成阻气薄膜(92)的阻气性塑料成型体(90)的制造方法,其具有成膜工序,所述成膜工序使用以通式(化学式1)所表示的有机硅烷系化合物作为主要原料气、使用氧化气体作为添加气并且使用包含钽(Ta)作为主要组成元素的发热体,利用发热体CVD法在塑料成型体的表面上形成阻气薄膜(92)。(化学式1)H3Si-Cn-X,在化学式1中,n为2或3;X为SiH3、H或NH2。 |
申请公布号 |
CN103314131A |
申请公布日期 |
2013.09.18 |
申请号 |
CN201180062773.7 |
申请日期 |
2011.12.28 |
申请人 |
麒麟麦酒株式会社 |
发明人 |
中谷正树;泷口绿;清水真里;佐藤爱子;田渕博康;松井荣太朗 |
分类号 |
C23C16/42(2006.01)I;B65D1/00(2006.01)I;B65D23/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/42(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
庞东成;褚瑶杨 |
主权项 |
一种阻气性塑料成型体的制造方法,其在塑料成型体的表面上形成阻气薄膜,其特征在于,该制造方法具有成膜工序,所述成膜工序使用以通式(化学式1)所表示的有机硅烷系化合物作为主要原料气、使用氧化气体作为添加气、并且使用包含钽(Ta)作为主要组成元素的发热体,利用发热体CVD法在上述塑料成型体的表面上形成所述阻气薄膜,(化学式1) H3Si‑Cn‑X在化学式1中,n为2或3;X为SiH3、H或NH2。 |
地址 |
日本东京都 |